1）实验平台真空系统的装配与调试
加工出了一套真空系统，并装配了大气压接口和离子导引。通过了真空抽取实验，多级真空度分别是1.5Torr，1E-3Torr，4.6E-6Torr，能满足实验的需要。实物如下图所示：
图1 多级真空腔体的装配
图2 多级真空腔体内部图
（2）质量分析器阵列的设计
为进一步提高离子反应、离子选择性能，在机械结构上提出了Q-LIT-LIT的新设计，能够验证双阱反应、单阱反应-单阱富集、四极滤质器质量选择性导入线性离子阱等更多的操作。目前完成了三维设计图，如下所示：右边是四极滤质器，左边是双线性离子阱，每个离子阱可以安装两个倍增器，实现双狭缝检测，既可以检测正离子，还可以检测负离子。
图3 质量分析器阵列的设计图，a 为独立图，b为整体装配图
（3）高分辨质量分析器的设计
为实现高分辨的离子过滤，设计了高分辨的四极质量分析器，目前已经完成了三维图和工程图设计，并交付加工厂开始加工。
图4 四级杆质量分析器图
（4）线性离子阱装配
根据双线性离子阱的组合装配设计，目前已经实现了单个线性离子阱的装配，如下图所示：
图5 双线性离子阱的组合装配图
（5）大气压接口的设计与加工
基于加热的不锈钢管和Skimmer设计大气压接口部件，使得大气压下产生的离子，能够通过大气压接口进入高真空的质量分析器区域。该设计目前已经实现了初步加工和组装，发现了一些配合的机械尺寸问题，正在修改。
图6 离子传输系统图
（6）关键机械系统设计
系统原理：电喷雾离子源从大气压下产生正离子，通过大气压接口传入高真空系统的第一个离子阱存储，GDEI或GD源在真空环境下产生负离子，进入第二个离子阱存储。两个离子阱轴向组合，通过将其中一个离子阱中的离子导入第二个离子阱，实现正负离子的碰撞和反应。
实现该系统依赖于完成离子源、离子导引、真空系统、质量分析器系统、射频高压系统、电子控制系统和软件系统的研制和整体装配、调试。目前按照计划进度进行。
图7 真空腔体内部装配布局图
（7）射频电源的结构设计
为减少射频电源的噪声和提高多质量分析器的分析性能，为射频电源设计了专用的屏蔽和固定机箱，如下图所示，目前，该机壳正在加工，射频电源的电路板正在焊接器件。
图8 射频电源电路图及装配图
（8）ETD系统的设计
ETD系统用于产生离子反应所需的负离子，该负离子从离子阱阵列的另一端进入离子阱阵列，与正离子发生反应。
ETD系统为两级真空腔体结构，初级真空放置Glow Discharge离子源，用于产生负离子，次级真空用于获得主腔体匹配的真空度，同时将负离子传输进入主腔体。ETD的真空腔体插入主腔体末端的扩展接口内，与离子阱阵列串接。
系统设计如下图所示。目前已经完成大部分设计，正在检查和准备加工。
图9 ETD系统设计图
（9）控制与软件系统
控制系统主体已经搭建完成，将根据离子透镜需要，搭建不同的高压、加热等模块。软件系统正在进行同步操作的构架和编码。
图10 控制系统软件界面图